Pekín, 15 ago (EFE).- Un equipo de investigadores chinos realizó un avance en el campo de la electrónica al desarrollar un nuevo tipo de transistor que podría transformar los circuitos integrados.
Científicos chinos desarrollan un nuevo transistor que supera límites de la electrónica
En un estudio publicado este jueves en la revista Nature, científicos de la Academia China de Ciencias y la Universidad de Pekín presentaron un transistor emisor térmico, compuesto por grafeno y germanio, que utiliza un novedoso mecanismo de "emisión estimulada" para generar portadores de carga a altas energías.
Este avance supera las limitaciones de los transistores tradicionales, abriendo nuevas posibilidades para la creación de dispositivos electrónicos más rápidos y eficientes, destacó hoy la cadena estatal CCTV.
Una de las innovaciones clave de este dispositivo es su capacidad para alcanzar una pendiente subumbral de menos de 1 mV/dec, rompiendo el límite de Boltzmann (60 mV/dec) de los transistores convencionales, lo que podría conducir a circuitos integrados más compactos y potentes.
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